氧化铝 (Al2O3) 耐热冲击类型
是可以提高氧化铝的耐热冲击性能的材料。
实现了⊿T500℃的耐热冲击性,远远超越过去的⊿T200℃(提高2.5倍)。
在不断重复高温且急冷急加热的环境下,虽然使用了氮化硅、碳化硅等,但是通过使用耐热冲击性氧化铝陶瓷“类型S”可以大幅度地降低成本。
特长、特性(特征值)
特长
- 可在氧化气氛下使用
- 与通用高纯度氧化铝几乎是相同的成本(依产品形状而定)
- 可以制作氮化硅或碳化硅难以加工的大型产品、复杂形状产品、高精度加工产品
A995S和其它材质的比较
型号 | 密度 g/cm3 | 弹性模量 GPa | 弯曲强度 MPa | 热膨胀系数 ×10-6/K | 耐热冲击性 K | 热传导率 W/m・K | 成本绩效 | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
氧化铝标准品 | A995 | 3.9 | 380 | 410 | 7.6 | - | 30 | ◎ |
氧化铝耐热冲击类型 | A995S | 3.9 | 370 | 230 | 7.1 | 500 | 30 | ◎ |
碳化硅 | 3.1 | 410 | 500 | 4.6 | 450 | 170 | △ | |
氮化硅 | ASN-5 | 3.2 | 290 | 720 | 2.3 | 700 | 26 | △ |
用途
- 加热器控制面板等高温范围装置的周边零部件
- 热处理过程中的搬运构件
- 微波等离子舱内零部件
系列表
类型 | 特征 | 型号 | 用途 |
---|---|---|---|
标准品 | 可加工大型形状 价格比较便宜 |
A995 | ・各种半导体制造装置用构件 ・各种液晶装置用大型零部件 ・粉末设备用大型耐磨耗零部件 |
低电介损耗类型 | 低电介损耗 | A995LD | ・半导体制造用等离子装置 |
耐热冲击类型 | 耐热冲击性 高韧性 |
A995S | ・热处理过程的搬运零部件 ・加热器的周边构件 |
高纯度类型 | 高纯度 无气孔 |
AJPF | ・半导体制造用等离子装置 |