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氧化铝 (Al2O3) 低电介损耗类型

降低氧化铝的介质损耗,增强稳定性的材料。 在使用等离子的装置(CVD、蚀刻机)中,解决下述各项问题。
  • ・不加大输出功率,速率就上不去。
  • ・每一个装置中,使用同样的输出功率但速率却不稳定。
  • ・调谐上花费功夫。
  • ・等离子出现不均匀。

特长、特性(特征值)

电气特性

标准氧化铝和A995LD的比较

特性表

机械特性

  型号 密度
g/cm3
弹性模量
GPa
弯曲强度
MPa
硬度
GPa
破坏韧性
MPa√m
标准品 A995 3.9 380 450 16 4
低电介损耗类型 A995LD 3.9 380 360 15 4
耐热冲击类型 A995S 3.9 370 230 15 -
高纯度类型 AJPF 4.0 400 550 20 3

热、电气特性

型号 热膨胀系数
×10-6/K
耐热冲击性
K
热传导率
W/m・K
电气电阻值
Ω・cm
绝缘耐力
kV/mm
介电常数 介质损耗
×10-4
标准品 A995 7.3 200 30 >1014 12 10 <300
低电介损耗类型 A995LD 7.5 200 30 >1014 12 10 <5
耐热冲击类型 A995S 7.1 500 30 >1014 - 10 <300
高纯度类型 AJPF 7.7 200 35 >1014 12 10 1

用途

促使等离子出现不稳定的因素,我们认为是使用陶瓷的构件的高介质损耗和不稳定性。 在使用等离子的装置(CVD、蚀刻机)中,解决下述各项问题。 通过使用降低陶瓷的介质损耗使其稳定的A995LD,提高了装置的性能。
  • 通过降低功率损耗节省电力
  • 速率的稳定化
  • 调谐的省力化
  • 放置等离子的分散

系列表

类型 特征 型号 用途
标准品 可加工大型形状
价格比较便宜
A995 ・各种半导体制造装置用构件
・各种液晶装置用大型零部件
・粉末设备用大型耐磨耗零部件
低电介损耗类型 低电介损耗 A995LD ・半导体制造用等离子装置
耐热冲击类型 耐热冲击性
高韧性
A995S ・热处理过程的搬运零部件
・加热器的周边构件
高纯度类型 高纯度
无气孔
AJPF ・半导体制造用等离子装置

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